[发明专利]半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 201710631901.4 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN108231548B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王筱姗;吴承翰;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制作方法，包括：形成一图案化光阻层于一基板上，其中该图案化光阻层具有第一线宽粗糙度；将一处理材料涂布至该图案化光阻层，其中该处理材料的第一部份键结至该图案化光阻层的表面；以及移除该处理材料的第二部份，以提供一处理后的图案化光阻层，其中该处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
