[发明专利]半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710623101.8 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107665882B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | M.科托罗贾;E.格里布尔;J.G.拉文;A.菲利波 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/52;G01R31/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 形成 | ||
【主权项】：
一种半导体器件（100、200、300、400、500），包括：第一源极配线子结构（112），连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分（110）；和第二源极配线子结构（124），连接到位于多个源极场沟槽（120）中的多个源极场电极（122），所述多个源极场沟槽（120）延伸到所述半导体器件的半导体衬底（102）中，其中，第一源极配线子结构（112）的触点配线部分和第二源极配线子结构（124）的触点配线部分（124）位于层堆叠的配线层处，所述层堆叠的配线层位于半导体衬底（102）上，其中，第一源极配线子结构（112）的触点配线部分和第二源极配线子结构（124）的触点配线部分各自包括足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸，其中包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构（112）和第二源极配线子结构（124）之间的任何欧姆电连接更接近所述半导体衬底（102）。
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