[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在制造半导体器件的方法中，在两个鳍结构之间形成由介电材料制成的分隔壁。在分隔壁和两个鳍结构上方形成伪栅极结构。在伪栅极结构上方形成层间介电(ILD)层。去除ILD层的上部，从而暴露伪栅极结构。用金属栅极结构替换伪栅极结构。实施平坦化操作以暴露分隔壁，从而将金属栅极结构分成第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构通过分隔壁分隔开。本发明的实施例还涉及半导体器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在两个鳍结构之间形成由介电材料制成的分隔壁；在所述分隔壁和所述两个鳍结构上方形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构上方形成层间介电(ILD)层；去除所述层间介电层的上部，从而暴露所述伪栅极结构；用金属栅极结构替换所述伪栅极结构；以及实施平坦化操作以暴露所述分隔壁，从而将所述金属栅极结构分成第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过所述分隔壁分隔开。