[发明专利]一种积累型的深槽超结DMOS器件在审
| 申请号： | 201710585192.0 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107180874A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;罗蕾;杨梦琦;谢驰;李佳驹;任敏;高巍;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种积累型的深槽超结DMOS器件。本发明的一种积累型的深槽超结DMOS器件，其特征在于通过在超结DMOS器件中引入深槽结构，并在深槽结构中引入正电荷柱区，正向导通时在N柱中形成积累层，为超结DMOS器件中多子电流的流动提供了一条低阻通路，大大减小了器件的导通电阻；并且该发明采用较薄的栅氧化层，使器件具有较小的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 积累 深槽超结 dmos 器件 | ||
【主权项】：
一种积累型的深槽超结DMOS器件，包括金属化漏极(1)、N+衬底(2)、P柱(3)、N柱(4)、金属化源极(15)、P型体区(5)、N+源区(6)和P+接触区(7)；其中，金属化漏极(1)位于N+衬底(2)下表面；P柱(3)和N柱(4)位于N+衬底(2)上表面；N柱(4)位于P柱(3)两侧，并与P柱(3)形成超结结构；所述P型体区(5)位于P柱(3)和N柱(4)的上表面，所述N+源区(6)位于P型体区(5)的正上方并与P型体区(5)接触，N+源区(6)的上表面与金属化源极(15)接触；所述P+接触区(7)位于P型体区(5)的正上方并与P型体区(5)接触，P+接触区(7)的上表面与金属化源极(15)接触；其特征在于，还包括深槽结构(8)，所述深槽结构(8)沿金属化源极(15)下表面从上至下依次贯穿N+源区(6)、P型体区(5)和P柱(3)延伸至N+衬底(2)的上表面；所述深槽结构(8)中从下至上依次填充有厚绝缘介质(11)、第一隔离介质(12)、栅氧化层(13)和第二隔离介质(14)；其中，在所述厚绝缘介质(11)中具有电荷柱区(10)，在所述栅氧化层(13)中具有多晶硅栅电极(9)，电荷柱区(10)和栅氧化层(13)之间通过第一隔离介质(12)隔离；所述多晶硅栅电极(9)上表面的结深小于N+源区(6)下表面的结深，多晶硅栅电极(9)下表面的结深大于P型体区(5)下表面的结深；所述多晶硅栅电极(9)与金属化源极(15)通过第二隔离介质(14)隔离，第二隔离介质(14)还向两侧延伸至部分N+源区(6)的上表面。
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