[发明专利]用于产生超级结器件的方法有效
| 申请号： | 201710574489.7 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107623038B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;J.G.拉文;A.毛德;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德;M.特赖贝尔;D.图图克;A.韦尔克尔;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于产生超级结器件的方法。公开的是一种方法，该方法包括使多个半导体布置一个在另一个上面形成。在该方法中，形成多个半导体布置中的每一个包括：形成半导体层；在该半导体层的第一表面中形成多个沟槽；以及将第一类型和第二类型中的至少一个的掺杂剂原子注入到该半导体层的多个沟槽中的每一个的第一侧壁和第二侧壁中的至少一个中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 超级 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成至少一个半导体布置，其中形成该至少一个半导体布置包括：形成半导体层；在该半导体层的第一表面中形成多个沟槽；以及将第一类型和第二类型中的至少一个的掺杂剂原子注入到该半导体层的多个沟槽中的每一个的第一侧壁和第二侧壁中的至少一个中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710574489.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钢板分层叠放装置
- 下一篇：一种压缩机
- 同类专利
- 专利分类
