[发明专利]一种具有密封点的半导体封装结构的制造方法有效
申请号: | 201710496657.5 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107437569B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 郑剑华;孙彬 | 申请(专利权)人: | 南通华隆微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有密封点的半导体封装结构的制造方法,具体涉及太阳能电池封装结构的制造方法,包括:提供硅片,具有有源的正面和与正面相对的背面并经过减薄;形成通孔,所述通孔贯穿所述正面与背面;在所述正面沉积阵列排布的正面接触点以及在所述背面沉积阵列排布的正面电极和背面电极;点胶形成阵列排布的背面碗形密封点,形成于所述正面电极和背面电极上,并完全包覆所述正面电极和背面电极;压合背面透明粘结胶,覆盖所述硅片的背面,并包覆所述背面碗形密封点;背面封装板,粘结于所述正面透明粘结胶上;打磨所述透明粘结胶形成平整的表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 密封 半导体 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有密封点的半导体封装结构的制造方法,包括:提供硅片,具有有源的正面和与正面相对的背面并经过减薄;形成通孔,所述通孔贯穿所述正面与背面;在所述正面沉积阵列排布的正面接触点以及在所述背面沉积阵列排布的正面电极和背面电极,所述正面电极和背面电极间隔排列,所述正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触;点胶形成阵列排布的背面碗形密封点,形成于所述正面电极和背面电极上,并完全包覆所述正面电极和背面电极;压合背面透明粘结胶,覆盖所述硅片的背面,并包覆所述背面碗形密封点;背面封装板,粘结于所述正面透明粘结胶上;打磨所述透明粘结胶形成平整的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的