[发明专利]上桥功率元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种上桥功率元件及其制造方法。其中该上桥功率元件包含：基板、外延层、高压阱区、体区、栅极、源极、漏极、第一掩埋区以及第二掩埋区。体区于沟道方向上，与高压阱区间具有PN结。第一掩埋区形成于外延层中，具有第一导电型，且于沟道方向上，第一掩埋区的第一内侧边界，介于漏极与PN结之间。第二掩埋区形成于基板与外延层中，具有第二导电型，且于沟道方向上，掩埋区的第二内侧边界，介于漏极与PN结之间。其中，第二掩埋区中的第二导电型杂质浓度，足以于上桥功率元件在导通操作中，避免PN结与漏极间的高压阱区完全耗尽。

主权项

1.一种上桥功率元件，其特征在于，包含：一基板，具有第一导电型，且于一高度方向上，具有相对的一上表面与一下表面；一外延层，形成于该基板上，具有相对该上表面的一外延层表面，且于该高度方向上，堆叠并连接于该上表面上；一高压阱区，形成于该外延层中，具有第二导电型，且于该高度方向上，堆叠并连接于该基板的该上表面上；一体区，形成于该外延层中，具有第一导电型，且于该高度方向上，堆叠并连接于该外延层表面下；一栅极，形成于该外延层上，且于该高度方向上，至少部分该栅极堆叠并连接于该外延层表面上，其中，该体区与该高压阱区间具有一PN结，该PN结位于该栅极正下方且与一沟道方向大致上垂直，且由俯视图观察，该栅极覆盖至少部分该PN结；一源极，形成于该外延层中，具有第二导电型，且于该高度方向上，堆叠并连接于该外延层表面之下，且由俯视图观察，该源极位于该体区中；一漏极，形成于该外延层中，具有第二导电型，且于该高度方向上，堆叠并连接于该外延层表面下，且于该沟道方向上，该源极与该漏极位于该PN结不同侧，且由俯视图观察，该漏极与该栅极由该高压阱区隔开；一第一掩埋区，形成于该外延层中，具有第一导电型，且于该沟道方向上，该第一掩埋区的一第一内侧边界，介于该漏极与该PN结之间，且该第一掩埋区并未位于该源极的正下方；以及一第二掩埋区，形成于该基板与该外延层中，具有第二导电型，且于该高度方向上，部分该第二掩埋区位于该基板中，且另一部分该第二掩埋区位于该外延层中，与该高压阱区连接，且于该沟道方向上，该第二掩埋区的一第二内侧边界，介于该漏极与该PN结之间，且该第二掩埋区并未位于该源极的正下方；其中，该第二掩埋区中的第二导电型杂质浓度，与该高压阱区中的第一导电型杂质浓度，足以于该上桥功率元件在一导通操作中，而避免该PN结与该漏极间的高压阱区完全耗尽。