[发明专利]一种功率MOS管及其制造方法、使用方法有效
申请号: | 201710431526.9 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107275405B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 于浩 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/488;H01L21/336;H01L21/48 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 李世喆 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提供了一种功率MOS管及其制造方法、使用方法。该功率MOS管包括:MOS管本体和焊盘;所述焊盘包括第一部分焊盘和第二部分焊盘;所述第二部分焊盘上设置有至少一个通孔;所述第一部分焊盘与所述MOS管本体的底面相连,所述第二部分焊盘的第一端与所述MOS管本体的第一端具有设定的距离;所述焊盘,通过锡膏焊接的方式与外部的电路板连接时,通过所述第二部分焊盘上设置的各个所述通孔聚集锡膏。因此,本发明提供的方案可以提高焊接的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 mos 及其 制造 方法 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种功率MOS管,其特征在于,包括:MOS管本体和焊盘;所述焊盘包括第一部分焊盘和第二部分焊盘;所述第二部分焊盘上设置有至少一个通孔;所述第一部分焊盘与所述MOS管本体的底面相连,所述第二部分焊盘的第一端与所述MOS管本体的第一端具有设定的距离;所述焊盘,通过锡膏焊接的方式与外部的电路板连接时,通过所述第二部分焊盘上设置的各个所述通孔聚集锡膏;所述MOS管本体,包括:漏极引脚、源极引脚、栅极引脚;所述漏极引脚、所述源极引脚以及所述栅极引脚分别位于所述MOS管本体中的第二端面上,其中,所述第二端面为未与所述第一部分焊盘相连的端面;所述第一部分焊盘通过嵌入方式或通过黏贴方式与所述MOS管本体的底面相连,且所述第一部分焊盘的底面与所述MOS管本体的底面处于同一水平面上;所述第二部分焊盘中的各个所述通孔的面积之和满足第一公式;所述第一公式包括:
其中,所述C表征各个所述通孔的面积之和;所述P表征预先设定的焊接时焊盘承受的压力;所述A表征设定的所述焊盘的总面积;所述τ表征预设设定的焊接强度;所述δ表征焊盘的焊接系数。
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