[发明专利]一种功率MOS管及其制造方法、使用方法有效

专利信息
申请号: 201710431526.9 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN107275405B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 于浩 申请(专利权)人: 郑州云海信息技术有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L23/488;H01L21/336;H01L21/48
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 李世喆
地址: 450000 河南省郑州市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供了一种功率MOS管及其制造方法、使用方法。该功率MOS管包括:MOS管本体和焊盘;所述焊盘包括第一部分焊盘和第二部分焊盘;所述第二部分焊盘上设置有至少一个通孔;所述第一部分焊盘与所述MOS管本体的底面相连,所述第二部分焊盘的第一端与所述MOS管本体的第一端具有设定的距离;所述焊盘,通过锡膏焊接的方式与外部的电路板连接时,通过所述第二部分焊盘上设置的各个所述通孔聚集锡膏。因此,本发明提供的方案可以提高焊接的稳定性。
搜索关键词: 一种 功率 mos 及其 制造 方法 使用方法
【主权项】:
1.一种功率MOS管,其特征在于,包括:MOS管本体和焊盘;所述焊盘包括第一部分焊盘和第二部分焊盘;所述第二部分焊盘上设置有至少一个通孔;所述第一部分焊盘与所述MOS管本体的底面相连,所述第二部分焊盘的第一端与所述MOS管本体的第一端具有设定的距离;所述焊盘,通过锡膏焊接的方式与外部的电路板连接时,通过所述第二部分焊盘上设置的各个所述通孔聚集锡膏;所述MOS管本体,包括:漏极引脚、源极引脚、栅极引脚;所述漏极引脚、所述源极引脚以及所述栅极引脚分别位于所述MOS管本体中的第二端面上,其中,所述第二端面为未与所述第一部分焊盘相连的端面;所述第一部分焊盘通过嵌入方式或通过黏贴方式与所述MOS管本体的底面相连,且所述第一部分焊盘的底面与所述MOS管本体的底面处于同一水平面上;所述第二部分焊盘中的各个所述通孔的面积之和满足第一公式;所述第一公式包括:其中,所述C表征各个所述通孔的面积之和;所述P表征预先设定的焊接时焊盘承受的压力;所述A表征设定的所述焊盘的总面积;所述τ表征预设设定的焊接强度;所述δ表征焊盘的焊接系数。
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