[发明专利]一种双腔式等离子体沉积镀膜方法

摘要

本发明公开了一种双腔式等离子体沉积镀膜方法，包括如下步骤：(1)抽真空；(2)放置衬底并调整到所需的工艺位置；(3)向第一反应腔室和第二反应腔室内通入工艺气体，同时，向清洗气体进气通道内通入氮气；(4)调整两个反应腔室内的压力；(5)预热衬底，并对工艺气体进行射频处理，使工艺气体在射频的作用下形成等离子体，等离子体在衬底表面成膜，完成镀膜。本方法通过在向第一反应腔室和第二反应腔室通入工艺气体的同时，向清洗气体进气通道内通入氮气，破除了清洗气体进气通道的真空状态，平衡两端的压力，可以有效的消除两腔室间气流分配不均带来的沉积速率上的差异，从而提高晶圆间工艺的均一性。

主权项

1.一种双腔式等离子体沉积镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将第一反应腔室、第二反应腔室、清洗气体进气通道和工艺气体进气通道抽真空，其中，清洗气体进气通道的进气口与远程等离子发生器的出气口连通，所述清洗气体进气通道的出气口为两个且分别与第一反应腔室和第二反应腔室的进气口连通，所述清洗气体进气通道的进气口距第一反应腔室的进气口和第二反应腔室的进气口的距离相同，所述工艺气体进气通道的进气口与工艺气体进气管路连通，所述工艺气体进气通道的出气口为两个且分别与第一反应腔室和第二反应腔室的进气口连通，所述工艺气体进气通道的出气口距第一反应腔室的进气口和第二反应腔室的进气口的距离相同；(2)将衬底分别送入第一反应腔室和第二反应腔室内，并调整到所需的工艺位置；(3)通过工艺气体进气通道向第一反应腔室和第二反应腔室内通入工艺气体，同时，向清洗气体进气通道内通入氮气；(4)调整两个反应腔室内的压力至1～10torr；(5)预热衬底至60～500摄氏度，并对第一反应腔室和第二反应腔室内的工艺气体进行射频处理，使工艺气体在射频的作用下形成等离子体，等离子体在衬底表面成膜，完成镀膜。