[发明专利]一种复合钝化层栅场板GaN HEMT元胞结构及器件有效
| 申请号： | 201710356749.3 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107170800B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;杨永江;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，制作该器件的半导体材料为GaN外延片或单晶片，衬底可以是Si，SiC或者蓝宝石等，器件表面在栅和漏之间的钝化层为复合钝化层，如图1所示，在栅场板底下的钝化层淀积或生长的是Low‑K的介质，而栅场板之外的部分为High‑K介质层。其中，High‑K钝化层有助于提高器件的耐压和保持较低的表面漏电，而栅场板结构下的Low‑K介质层降低了器件场板引起的寄生电容，有助于提升器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 钝化 层栅场板 gan hemt 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种复合钝化层栅场板GaN HEMT器件元胞结构，其特征在于，制作该器件的半导体材料为GaN外延片或单晶片，衬底是Si，SiC或者蓝宝石，器件表面在栅和漏之间的钝化层为复合钝化层，在栅场板底下的钝化层淀积或生长的是Low‑K介质层，而栅场板之外的钝化层部分为High‑K介质层。
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