[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710353547.3 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106981419B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张超然;罗清威;周俊;王建国;程诗阳 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，从工艺整合的角度考量，优化工艺顺序和流程，在待研磨层表面上淀积缓冲层之后，先至少在第二区和第一区交界区域形成用于保护的缓冲层，然后对所述第一区的待研磨层进行减薄，交界区域的待研磨层由于缓冲层的阻挡而得以完全保留，之后进行化学机械研磨后，可以使得第一区和第二区的待研磨层的表面高度一致，避免在第一区和第二区交界区域形成台阶差，从而改善了化学机械研磨后第一区和第二区的待研磨层的均匀性，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有第一区和第二区的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上沉积待研磨层；至少在所述第一区和第二区的交界区域的待研磨层表面上覆盖缓冲层；对所述第一区的待研磨层进行减薄；以及对所述待研磨层进行化学机械研磨，直至所述第一区的待研磨层的厚度达到要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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