[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法在审
申请号: | 201710339986.9 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107394583A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 艾尔弗雷德·莱尔;安德烈亚斯·莱夫勒;克里斯托夫·艾希勒;贝恩哈德·施托耶茨;安德烈·佐默斯 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01S5/32 | 分类号: | H01S5/32;H01S5/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提出一种半导体芯片(100),所述半导体芯片具有第一半导体层(1),所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外,提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片(100),所述半导体芯片具有第一半导体层(1),所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化,其中所述第一半导体层(1)具有保持不变的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710339986.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片
- 下一篇:激光二极管芯片