[发明专利]半导体器件制造工艺中改善临界尺寸均匀性的方法

摘要

描述了图案化器件层的示例性方法，包括图案化保护层和在第一图案化层中形成第一开口以暴露出保护层的第一部分和硬掩模层的第一部分的操作，然后保护层的第一部分和硬掩模层的第一部分暴露于第一蚀刻以在硬掩模层的第一部分中形成第一开口。在第二图案化层中形成第二开口以暴露出保护层的第二部分和硬掩模层的第二部分。保护层的第二部分和硬掩模层的第二部分暴露于蚀刻以在硬掩模层的第二部分中形成第二开口。然后，穿过第一开口和第二开口蚀刻器件层的暴露部分。本发明实施例涉及半导体器件制造工艺中改善临界尺寸均匀性的方法。

主权项

一种图案化器件层的方法，所述方法包括：图案化在硬掩模层上方设置的保护层；在第一图案化层中形成第一开口以暴露出所述保护层的第一部分和所述硬掩模层的第一部分；将所述保护层的第一部分和所述硬掩模层的第一部分暴露于第一选择性蚀刻以在所述硬掩模层的第一部分中形成第一硬掩模层开口；在第二图案化层中形成第二开口以暴露出所述保护层的第二部分和所述硬掩模层的第二部分；将所述保护层的第二部分和所述硬掩模层的第二部分暴露于第二选择性蚀刻以在所述硬掩模层的第二部分中形成第二硬掩模层开口；以及穿过所述第一硬掩模层开口和所述第二硬掩模层开口蚀刻所述器件层的暴露部分。