[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710265499.2 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107093633B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;李栋;刘政;田雪雁;李良坚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李莎;李弘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源区，所述有源区与源极相接触的第一接触部位的掺杂浓度和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位的掺杂浓度，均高于所述有源区的主体部位的掺杂浓度。本发明还公开了一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置。本发明公开的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够改善薄膜晶体管的接触电阻，提高其性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源区，其特征在于，所述有源区与源极相接触的第一接触部位的掺杂浓度和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位的掺杂浓度，均高于所述有源区的主体部位的掺杂浓度。
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