[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源区，所述有源区与源极相接触的第一接触部位的掺杂浓度和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位的掺杂浓度，均高于所述有源区的主体部位的掺杂浓度。本发明还公开了一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置。本发明公开的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够改善薄膜晶体管的接触电阻，提高其性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

常用的显示面板包括液晶显示面板(LCD)、有机发光二极管显示面板(OLED)等。这些显示面板在采用有源矩阵驱动方式时，需要设置具有薄膜晶体管(TFT)阵列的阵列基板，TFT作为控制像素的开关，直接关系到显示面板的性能。

但是在实现本发明的过程中，发明人发现，现有TFT存在以下问题：

在制备TFT时，若源漏极与有源区采用分步骤制作的方式，在形成有源区后，对源漏极进行掺杂来完成源漏极的制作，将导致掺杂以后源漏极与有源区仅仅通过侧边角处进行接触，接触面积较小，接触电阻极大，因此对TFT的开态电流、载流子迁移率等特性均有较大影响。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。

基于上述目的本发明提供的薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源区，所述有源区与源极相接触的第一接触部位的掺杂浓度和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位的掺杂浓度，均高于所述有源区的主体部位的掺杂浓度。

可选的，所述第一接触部位和/或第二接触部位的高度高于所述有源区的主体部位的高度。

可选的，所述第一接触部位和/或第二接触部位的掺杂浓度为10¹³～10¹⁵cm^-3。

本发明的第二方面，提供了一种如前任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上依次形成缓冲层和第一非晶硅层；

在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层，所述第二非晶硅层的掺杂浓度高于所述第一非晶硅层的掺杂浓度；

通过图案化处理，形成所述有源区，并在所述第一接触部位和所述第二接触部位处保留所述第二非晶硅层；

对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散；

将非晶硅转化为多晶硅；

形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作。

可选的，所述对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散的步骤以及将非晶硅转化多晶硅的步骤，采用准分子激光退火工艺一步完成。

本发明的第三个方面，提供了一种如上任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上依次形成缓冲层和第一非晶硅层；

将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成第二非晶硅层，所述第二非晶硅层的掺杂浓度高于所述多晶硅层的掺杂浓度；

通过图案化处理，形成所述有源区，并在所述第一接触部位和所述第二接触部位处保留所述第二非晶硅层；

对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散；

形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作。

本发明的第四个方面，提供了一种如上任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：