[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201710265482.7 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107393875A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·布鲁恩鲍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，包括提供晶片，该晶片包括机械均匀的半导体基底。该方法还包括在半导体基底中形成机械结构。在包括半导体基底上的半导体器件的晶片中，半导体基底包括机械结构。在包括半导体基底上的半导体器件的管芯中，半导体基底包括机械结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供机械均匀的半导体基底；以及在所述基底中形成机械结构。
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