[发明专利]非易失性半导体存储装置及其字线的驱动方法有效
| 申请号： | 201710238959.2 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107527654B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 村上洋树 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/30;G11C8/08;G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其字线的驱动方法。本发明的闪速存储器包括：存储单元阵列，包含多个区块；以及区块选择部(200)，基于行地址信息来选择存储单元阵列的区块。区块选择部(200)包含：区块选择晶体管(230)，连接于区块的各字线；电平移位器(210)，对连接于区块选择晶体管(230)的各栅极的节点(N2)供给电压；升压电路(220)，对节点(N2)的电位进行升压；以及电压供给部，对区块选择晶体管的其中一个端子供给动作电压。节点(N2)在通过来自电压供给部的动作电压来进行第1增压后，通过升压电路(220)来进行第2增压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：存储单元阵列，包含多个区块；以及区块选择部件，基于行地址信息来选择所述存储单元阵列的区块，所述区块选择部件包含：多个选择晶体管，连接于区块的各字线；第1电路，对连接于所述多个选择晶体管的各栅极的连接节点进行充电；第2电路，连接于所述第1电路，对所述连接节点的电压进行升压；以及供给部件，对所述多个选择晶体管的其中一个端子供给动作电压，所述连接节点通过由所述供给部件所供给的所述动作电压来进行第1增压后，通过所述第2电路来进行第2增压。
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