[发明专利]半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法有效
| 申请号： | 201710231829.6 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107871521B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 神永雄大;水藤克年 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法，实现页面的连续读出的高速化。本发明的快闪存储器(100)包括：存储胞元阵列(110)；页面读出部件，选择存储胞元阵列(110)的页面，将选择页面的数据读出至页面缓冲器/读出电路(180)；页面信息保存部(160)，保存与连续读出的范围相关的页面信息；以及控制部(150)，控制页面的连续读出。控制部(150)基于页面信息来判定是否继续连续读出，在判定为继续的情况下，即使芯片选择信号被切换，仍可无页面数据读出命令及页面地址的输入地进行连续读出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 闪存 及其 连续 读出 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于包括：存储胞元阵列；页面读出部件，选择所述存储胞元阵列的页面，将选择页面的数据读出至数据保持部；设定部件，设定与页面的连续读出的范围相关的页面信息；以及控制部件，控制所述页面读出部件对页面的连续读出，所述控制部件基于所述页面信息来判定是否继续连续读出模式。
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