“神永雄大”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法-CN202110431154.6在审
发明人： 神永雄大 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法，其可输出与在连续读出动作中进行了错误纠正的页相关的各种信息。本发明的NAND型的闪速存储器包括：存储单元阵列；连续读出部件，连续地读出存储单元阵列的页；错误检测纠正相关信息存储部(190)，针对由连续读出部件连续读出的页，存储由错误检测纠正电路(130)进行了错误纠正的的页相关的错误检测纠正相关信息；以及输出部件，响应于连续读出动作后的读出命令，输出错误检测纠正相关信息存储部(190)中所存储的错误检测纠正相关信息。
半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息读出方法

[发明专利]半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法-CN201710231829.6有效
发明人： 神永雄大;水藤克年 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法，实现页面的连续读出的高速化。本发明的快闪存储器(100)包括：存储胞元阵列(110)；页面读出部件，选择存储胞元阵列(110)的页面，将选择页面的数据读出至页面缓冲器/读出电路(180)；页面信息保存部(160)，保存与连续读出的范围相关的页面信息；以及控制部(150)，控制页面的连续读出。控制部(150)基于页面信息来判定是否继续连续读出，在判定为继续的情况下，即使芯片选择信号被切换，仍可无页面数据读出命令及页面地址的输入地进行连续读出。
半导体存储装置闪存及其连续读出方法

[发明专利]半导体存储装置及其存储器系统-CN201710339908.9有效
发明人： 神永雄大 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及其存储器系统。半导体存储装置包含存储阵列、错误纠正部件与设定部件。错误纠正部件将所生成的错误纠正码保存至保存区域。设定部件能够从外部设定所述保存区域。由此本发明提供一种具备与现有的系统之间实现兼容性的错误纠正功能的半导体存储装置及其存储器系统。
半导体存储装置及其存储器系统

[发明专利]半导体存储装置及连续读出方法-CN201710857466.7有效
发明人： 神永雄大;水藤克年 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了半导体存储装置及连续读出方法，本发明的闪存100具有存储单元阵列110，选择存储单元阵列110的页且将选择页的数据在页缓冲器/感测电路180读出的页读出单元，及控制页的连续读出的控制单元150。控制单元150，在相关于连续读出结束的命令被输入的场合中使连续读出结束，且在相关于连续读出结束的命令没有被输入的场合中使连续读出继续执行，在连续读出继续执行中时，即使芯片选择信号CS被触发，可以没有页数据读出命令的输入而进行连续读出。
半导体存储装置连续读出方法

[发明专利]半导体存储器装置、半导体系统以及读取方法-CN201410464625.3有效
发明人： 神永雄大 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器装置、半导体系统以及读取方法，提供一种能够有效地保护安全性高的信息的闪存。闪存(100)包含设定部，所述设定部在被输入了特定命令时，对非易失性组态暂存器(240)设定特定地址信息，且在隐藏的存储区域(112)设定特定数据。闪存(100)还包括：比较部(300)，在读取操作时，比较输入的地址信息与特定地址信息；及控制部(310)，当两地址信息一致时，读取设定于存储区域(112)的特定数据，且擦除特定地址，当两地址信息不一致时，按照输入的地址信息读取存储于存储器阵列的数据。
半导体存储器装置系统以及读取方法

[发明专利]半导体存储装置和系统启动方法-CN201310745980.3有效
发明人： 神永雄大 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储装置和系统启动方法，该半导体存储装置包括：一存储器阵列，由非易失性存储器单元所构成；一设定单元，用以设定启动时最初读出的上述存储器阵列的页面地址；以及一控制单元，执行一内部程序，以在启动时从上述设定单元读出页面地址，并将根据所读出的页面地址从上述存储器阵列读出的页面数据传送至页面缓冲器。通过设定启动时最初读出的页面地址并将启动时页面地址的页面数据自动传送至页面缓冲器，可缩短系统的启动时间。此外，通过变更页面地址的设定，可扩大地址映射的自由度。
半导体存储装置系统启动方法

[发明专利]非易失性半导体存储器及其数据的读取方法-CN201210129288.3有效
发明人： 神永雄大;矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可高速进行数据读取的非易失性半导体存储器及其读取方法，该非易失性半导体存储器包括：存储器阵列，包括多个存储单元；页缓冲存储器，保持从存储器阵列中的根据地址信息而选择页所传输的数据；以及数据寄存器，其根据时脉信号，可将从页缓冲存储器接收到的数据串联地输出。存储器阵列包含第一及第二记忆层，第一及第二记忆层的所选择页的数据被同时传输到页缓冲存储器中。数据读取包括：在从数据寄存器输出第一记忆层的第一页数据的期间，将第二记忆层的第二页数据从页缓冲存储器传输到数据寄存器中，在从数据寄存器输出第二记忆层的第二页数据的期间，将第一记忆层的第二页数据从页缓冲存储器传输到数据寄存器中。
非易失性半导体存储器及其数据读取方法

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top