[发明专利]一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201710229199.9 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107146816B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;徐华;吴为敬;陈为锋;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 马学慧 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料与器件技术领域，公开了一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管。所述氧化物半导体薄膜由金属氧化物半导体薄膜中掺入少量稀土氧化物得到。所述薄膜晶体管包括栅极、氧化物半导体薄膜制备的沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层、以及分别连接在沟道层两端的源极和漏极。本发明的氧化物半导体薄膜材料及由其制备的薄膜晶体管具有非常优异的光照稳定性，而且具有制备工艺简单、适用性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜 制备 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜，其特征在于所述氧化物半导体薄膜为：在金属氧化物MO半导体薄膜中掺入少量稀土氧化物RO作为光稳定剂，形成(MO)x(RO)y半导体材料，其中0<x<1，0.0001≤y≤0.2，x+y＝1。
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