[发明专利]基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管有效
| 申请号： | 201710207374.4 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107068812B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;彭若诗;范晓萌;林志宇;刘大为;张进成;孟锡俊;李培咸;牛牧童;马德璞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/16;H01L33/18;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic 衬底 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其特征在于：AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，该氮化物薄膜由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。
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