[发明专利]基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件

摘要

本发明公开了一种基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)；两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，源极下方有注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(14)；本发明器件的特征在于：两侧的钝化层内下部制作有浮空漏场板(12)，上部制作有浮空源场板(13)，电流阻挡层采用二级阶梯结构。具有击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高的优点，可用于电力电子系统。

主权项

一种基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件，包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(14)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，源极(9)之间的势垒层上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11)，钝化层(14)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧；所述钝化层(14)，是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成；绝缘介质材料可采用SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2中的任意一种或其它绝缘介质材料；该钝化层两侧的下部区域内有浮空漏场板(12)，上部区域内有浮空源场板(13)；所述浮空漏场板(12)，由自下而上的漏场板、第一漏浮空场板、第二漏浮空场板至第Q漏浮空场板构成，漏场板与肖特基漏极(11)电气连接，第一漏浮空场板至第Q漏浮空场板为浮空型场板，且相互之间相互独立，Q根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数；所述浮空源场板(13)，由自下而上的第一源浮空场板、第二源浮空场板至第M源浮空场板和源场板构成，第一源浮空场板、第二源浮空场板至第M源浮空场板，即M个源浮空场板为浮空型场板，且相互之间相互独立，源场板与源极(9)电气连接，M根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。