[发明专利]测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法

摘要

本发明提供一种测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法，包括步骤：在半导体衬底表面覆盖石墨烯以形成石墨烯微区，并配置与石墨烯微区接触的导电探针；将导电探针与扫描开尔文探针力显微镜连接，以测量石墨烯微区的实际功函数，从而获得石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φ_Bn0；将导电探针与导电原子力显微镜连接，以采集石墨烯微区的电流‑电压曲线；根据石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φ_Bn0以及热电子发射模型对电流‑电压曲线进行分析拟合，得到导电探针与石墨烯微区的有效接触半径；根据导电针尖与石墨烯微区的有效接触半径以及实际接触半径，计算石墨烯微区迁移率μ的值。本发明可实现以任意半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的测量。

主权项

1.一种测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底表面覆盖石墨烯以形成石墨烯微区，并配置与所述石墨烯微区接触的导电探针；将所述导电探针与扫描开尔文探针力显微镜连接，以测量石墨烯微区的实际功函数，从而获得所述石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φ_Bn0；将所述导电探针与导电原子力显微镜连接，以采集所述石墨烯微区的电流‑电压曲线；根据所述石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φ_Bn0以及热电子发射模型对所述电流‑电压曲线进行分析拟合，得到所述导电探针与石墨烯微区的有效接触半径；根据所述导电探针与石墨烯微区的有效接触半径以及实际接触半径，计算所述石墨烯微区迁移率μ的值。