[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201710196398.4 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107275179B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 东条利洋;藤井祐希 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，即使在对偏置用电力进行脉冲调制的情况下，也能够检测到电弧放电发生的可能性或者实际上发生了电弧放电。对基板实施规定的等离子体处理等离子体处理装置包括：收纳基板的处理容器；对处理容器内供给处理气体的气体供给部；配置在处理容器内的电极；对电极供给脉冲调制后的高频电力的高频电源部；以规定的周期测定从处理容器向高频电源部返回的反射波功率的反射波功率测定部；和判断部，其在由反射波功率测定部测定的反射波功率成为规定的条件时，判断为在处理容器内有发生电弧放电的可能性或者实际上已经发生了电弧放电，脉冲调制后的高频电力的脉冲周期与反射波功率测定部中的测定周期不同。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其对被处理基板实施规定的等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：用于收纳被处理基板的处理容器；对所述处理容器内供给处理气体的气体供给部；配置在所述处理容器内的电极；对所述电极供给脉冲调制后的高频电力的高频电源部；以规定的周期测定从所述处理容器向所述高频电源部返回的反射波功率的反射波功率测定部；和判断部，其在由所述反射波功率测定部所测定的所述反射波功率成为规定的条件时，判断为在所述处理容器内有发生电弧放电的可能性或者实际上已经发生了电弧放电，所述脉冲调制后的高频电力的脉冲周期与所述反射波功率测定部中的测定周期不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710196398.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：X射线管装置
- 下一篇：衬底处理装置及半导体器件的制造方法
