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- [发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN202010026911.7有效
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齐藤均;佐佐木和男;里吉务;东条利洋
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东京毅力科创株式会社
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2020-01-10
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2023-05-12
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H01J37/32
- 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线单元，其设于金属窗的上方，在处理容器内生成电感耦合等离子体，金属窗被第1分割分割成电绝缘的分割区域，天线单元具有高频天线，该高频天线是将具有与金属窗的上表面相对地形成的平面部的多个天线区段配置为平面部整体上成为矩形的框状区域而成的，多个天线区段分别是将天线用线沿着纵向以卷绕轴线与金属窗的上表面平行的方式卷绕成螺旋状而构成的，能够控制向多个天线区段分别供给的电流。
- 电感耦合等离子体处理装置
- [发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201910500004.9有效
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宇津木康史;东条利洋
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东京毅力科创株式会社
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2019-06-11
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2023-01-31
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H01L21/683
- 本发明提供一种以高灵敏度检测基片与载置台剥离的技术。在真空容器内具有用于载置基片的载置台，在设置于载置台的电介质层内彼此隔开间隔地形成第一静电吸附电极和第二静电吸附电极。第一静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的周缘部，第二静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的中央部。从第一直流电源和第二直流电源分别对第一静电吸附电极和第二静电吸附电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压。由电压测量部测量施加到第一静电吸附电极的直流电压，由剥离检测部在测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。
- 处理装置方法
- [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201610153582.6有效
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东条利洋;山口克昌;宇津木康史
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东京毅力科创株式会社
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2016-03-17
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2019-12-06
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H01L21/67
- 本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载置台(21)的、将基板(G)静电吸附于载置台(21)的静电吸附电极(27)；向该静电吸附电极(27)施加直流电压的直流电源(28)；供给用于生成等离子体的高频电力的等离子体生成用高频电源(41)；和用于监视被施加于静电吸附电极(27)的直流电压的直流电压监视器(46)，当由直流电压监视器监视的直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。
- 处理方法装置
- [发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201710196398.4有效
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东条利洋;藤井祐希
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东京毅力科创株式会社
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2017-03-29
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2019-06-14
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H01J37/32
- 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，即使在对偏置用电力进行脉冲调制的情况下，也能够检测到电弧放电发生的可能性或者实际上发生了电弧放电。对基板实施规定的等离子体处理等离子体处理装置包括：收纳基板的处理容器；对处理容器内供给处理气体的气体供给部；配置在处理容器内的电极；对电极供给脉冲调制后的高频电力的高频电源部；以规定的周期测定从处理容器向高频电源部返回的反射波功率的反射波功率测定部；和判断部，其在由反射波功率测定部测定的反射波功率成为规定的条件时，判断为在处理容器内有发生电弧放电的可能性或者实际上已经发生了电弧放电，脉冲调制后的高频电力的脉冲周期与反射波功率测定部中的测定周期不同。
- 等离子体处理装置方法
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