[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 201710180162.1 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107221526A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 廖文翔;郭丰维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体封装包括第一半导体元件、绝缘层及第二半导体元件。第一半导体元件包括至少一个导电层及至少一个通孔层。绝缘层位于第一半导体元件上方且包括从绝缘层的第一侧延伸至绝缘层的第二侧的至少一个贯穿绝缘层孔(through insulator via,TIV)。至少一个贯穿绝缘层孔具有导电芯体,且导电芯体包含含铜材料。第二半导体元件位于绝缘层上方且包括至少一个导电层及至少一个通孔层。至少一个贯穿绝缘层孔将第一半导体元件的至少一个通孔层耦合至第二半导体元件的至少一个通孔层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
【主权项】:
一种半导体封装,其特征在于,包括:第一半导体元件,包括至少一个导电层及至少一个通孔层;绝缘层,位于所述第一半导体元件上方,所述绝缘层包括从所述绝缘层的第一侧延伸至所述绝缘层的第二侧的至少一个贯穿绝缘层孔,其中所述贯穿绝缘层孔包括导电芯体,所述导电芯体包含含铜材料;以及第二半导体元件,包括至少一个导电层及至少一个通孔层,其中所述第二半导体元件位于所述绝缘层上方,且其中所述至少一个贯穿绝缘层孔将所述第一半导体元件的所述至少一个通孔层耦合至所述第二半导体元件的所述至少一个通孔层。
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