[发明专利]一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计在审
| 申请号： | 201710179873.7 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106876445A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张学强;张振中;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计，所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构，所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构；所述P‑MOS结构的N‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。所述阶梯状结构降低了P‑阱结构和N‑阱结构转角区域的等效界面曲率，从而降低了该区域的最大电场强度，降低D‑MOSFET内部雪崩击穿的可能性，改善D‑MOSFET的可靠性，并提高D‑MOSFET的整体可用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 平面 mosfet 结构设计 | ||
【主权项】：
一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计，所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构，其特征在于，所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构；所述P‑MOS结构的N‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。
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