[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

在制造半导体器件的方法中，第一绝缘夹层和牺牲层顺序地形成在基板上。牺牲层被部分地去除以形成暴露第一绝缘夹层的上表面的第一开口。包括硅氧化物的绝缘衬层共形地形成在第一绝缘夹层的暴露的上表面以及第一开口的侧壁上。绝缘衬垫的在第一绝缘夹层的上表面上的至少一部分以及在其下的第一绝缘夹层的一部分被去除以形成连接到第一开口的第二开口。自形成阻挡(SFB)图案形成在第二开口的侧壁和绝缘衬垫上。布线结构形成为填充第一开口和第二开口。在去除牺牲层之后，形成第二绝缘夹层。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上顺序地形成第一绝缘夹层和牺牲层；部分地去除所述牺牲层以形成暴露所述第一绝缘夹层的上表面的第一开口；在所述第一绝缘夹层的所述暴露的上表面和所述第一开口的侧壁上共形地形成绝缘衬垫，所述绝缘衬垫包括硅氧化物；去除所述绝缘衬垫的在所述第一绝缘夹层的所述上表面上的至少一部分以及在其下的所述第一绝缘夹层的一部分以形成连接到所述第一开口的第二开口；在所述第二开口的侧壁和所述绝缘衬垫上形成自形成阻挡图案；形成布线结构以填充所述第一开口和所述第二开口；以及在去除所述牺牲层之后，形成第二绝缘夹层。