[发明专利]一种高热载流子可靠性横向绝缘栅双极型器件

摘要

一种高可靠性横向绝缘栅双极型器件，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸到场氧化层，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于在鸟嘴处下方增设了额外P型区，通过额外P型区屏蔽沟道电场减小沟道区的碰撞电离，因此新结构器件降低了器件开态工作阶段的热载流子损伤，延长了器件的寿命。

主权项

一种高热载流子可靠性横向绝缘栅双极型器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的内部设有N型缓冲区(4)和P型体区(18)，在N型缓冲区(4)内设有P型阳区(5)，在P型体区(18)中设有N型阴区(15)和P型体接触区(17)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(13)和场氧化层(9)，且栅氧化层(13)的一端和场氧化层(9)的一端相抵，所述栅氧化层(13)的另一端向N型阴区(15)延伸并止于N型阴区(15)的边界，所述场氧化层(9)的另一端向P型阳区(5)延伸并止于所述P型阳区(5)的边界，在栅氧化层(13)的表面设有多晶硅栅(10)且所述多晶硅栅(10)延伸至场氧化层(9)的上表面，场氧化层(9)的表面上有多晶硅(8)且所述多晶硅(8)与P型阳区(5)相邻，在场氧化层(9)、P型体接触区(17)、N型阴区(15)、多晶硅栅(10)、P型阳区(5)的表面设有钝化层(6)，在P型阳区(5)和多晶硅(8)表面连接有第一金属电极(7)，在多晶硅栅(10)的表面连接有第二金属电极(11)，在N型阴区(15)表面连接有第三金属电极(14)，在P型体接触区(17)表面连接有第四金属电极(16)，其特征在于，在栅氧化层(13)与场氧化层(9)相接的鸟嘴处下方还设有一个额外的P型区(12)。