[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201710145590.0 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107437564A | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 陈弘斌;郑志成;萧茹雄;陈力毅 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置,包含突出于半导体基板的半导体鳍片。半导体鳍片包含在半导体基板上的多对半导体层。每一对半导体层包含第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层。第二半导体层堆叠于第一半导体层上且接触第一半导体层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包含:一半导体基板;以及一半导体鳍片,突出于该半导体基板,该半导体鳍片包含:一具有第一导电型的一第一半导体层,设置于该半导体基板上;以及一具有第二导电型的一第二半导体层,堆叠于该第一半导体层上且接触该第一半导体层,其中介于该第一半导体层与该第二半导体层之间的介面在该半导体鳍片中形成一空乏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710145590.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有功函数金属的半导体器件
- 下一篇:电阻式内存
- 同类专利
- 专利分类