[发明专利]半导体装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201710144098.1 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108574013B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 孙沿林;郭守柱 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其操作方法，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：衬底；位于该衬底上的有源区；其中，该有源区包括：第一有源区和与该第一有源区的延伸方向平行排列的第二有源区；该第一有源区包括：连接部和在该连接部两侧的第一部分和第二部分，其中，该连接部将第一部分和第二部分连接成整体；该第二有源区包括：被沟槽隔离部隔离开的第三部分和第四部分；其中，该沟槽隔离部与该连接部相对应；以及覆盖在该沟槽隔离部和该连接部之上的第一伪栅极。本发明减小了在接触件形成过程中过刻蚀问题发生的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的有源区；其中，所述有源区包括：第一有源区和与所述第一有源区的延伸方向平行排列的第二有源区；所述第一有源区包括：连接部和在所述连接部两侧的第一部分和第二部分，其中，所述连接部将所述第一部分和所述第二部分连接成整体；所述第二有源区包括：被沟槽隔离部隔离开的第三部分和第四部分；其中，所述沟槽隔离部与所述连接部相对应；以及覆盖在所述沟槽隔离部和所述连接部之上的第一伪栅极。
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