[发明专利]基于多周期量子阱结构的HEMT器件有效
| 申请号： | 201710126246.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106876444B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 杨春;宋振杰;贾少鹏 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层包括：势垒层、隔离层、沟道层和缺陷层；量子阱有源层上设置源极、漏极和栅极，栅极位于量子阱有源层的中间，源极和漏极位于量子阱有源层的两侧。本发明通过引入缺陷层俘获电子，使器件可以快速关断；通过生长多周期量子阱异质结，产生多个导电通道层，增加了器件的功率处理能力；通过使用台面结构，有效解决常规表面电极引起的内部电场弯曲问题，漏、源电压可以无差别的加载到多周期异质结两端；该器件的成功研发将使HEMT器件向更高频、高速、大功率领域发展。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 周期 量子 结构 hemt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：包括衬底(9)，衬底(9)上生长缓冲层(8)，缓冲层(8)上生长量子阱有源层；其中，量子阱有源层包括：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)和缺陷层(4)；量子阱有源层上设置源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，栅极(7)位于量子阱有源层的中间，源极(5)和漏极(6)位于量子阱有源层的两侧；势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)、缺陷层(4)和缓冲层(8)宽度相同，衬底(9)的宽度大于上述各层的宽度，两侧均形成台面结构；栅极(7)位于量子阱有源层顶部，源极(5)与漏极(6)位于量子阱有源层两侧的台面结构；量子阱有源层上设置n个顺序结构而构成的沟道层，且每个沟道层都是等间距的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710126246.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
