[发明专利]基于多周期量子阱结构的HEMT器件有效
| 申请号： | 201710126246.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106876444B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 杨春;宋振杰;贾少鹏 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 周期 量子 结构 hemt 器件 | ||
1.一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：包括衬底(9)，衬底(9)上生长缓冲层(8)，缓冲层(8)上生长量子阱有源层；其中，量子阱有源层包括：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)和缺陷层(4)；量子阱有源层上设置源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，栅极(7)位于量子阱有源层的中间，源极(5)和漏极(6)位于量子阱有源层的两侧。
2.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)、隔离层(2)、缺陷层(4)和缓冲层(8)的材料为InAlAs，沟道层(3)的材料为InGaAs。
3.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)、隔离层(2)、缺陷层(4)和缓冲层(8)的材料为AlGaN，沟道层(3)的材料为GaN。
4.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)、缺陷层(4)和缓冲层(8)宽度相同，衬底(9)的宽度大于上述各层的宽度，两侧均形成台面结构；栅极(7)位于量子阱有源层顶部，源极(5)与漏极(6)位于量子阱有源层两侧的台面结构。
5.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：量子阱有源层上设置n个顺序结构而构成的沟道层，且每个沟道层都是等间距的。
6.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：量子阱有源层从上而下依次为：势垒层(1)、隔离层(2)、沟道层(3)和缺陷层(4)。
7.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：量子阱有源层从上而下依次为：缺陷层(4)、沟道层(3)、隔离层(2)和势垒层(1)。
8.根据权利要求1所述的基于多周期量子阱结构的HEMT器件，其特征在于：势垒层(1)的厚度为2～15nm；隔离层(2)的厚度为2～5nm；沟道层(3)的生长温度范围为400～500℃，厚度为4～15nm；缺陷层(4)的生长温度范围为300～500℃，厚度为4～15nm。
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