[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710102145.6 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108511509A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡英杰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括：具有第一导电型的基底、具有第二导电型的第一阱区、具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型的至少一第二掺杂区、具有第二导电型的至少一第三掺杂区以及具有第二导电型的第四掺杂区。第一阱区位于基底中。第一掺杂区位于第一阱区中。第二阱区位于第一阱区中且位于第一掺杂区与基底之间。至少一第二掺杂区位于第一掺杂区中。至少一第三掺杂区位于第一掺杂区的第一侧的第一阱区中。第四掺杂区位于第一掺杂区的第二侧的第一阱区中。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 阱区 导电型 基底 半导体元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：具有一第一导电型的一基底；具有一第二导电型的一第一阱区，位于该基底中；具有该第一导电型的一第一掺杂区，位于该第一阱区中；具有该第二导电型的一第二阱区，位于该第一阱区中且位于该第一掺杂区与该基底之间；具有该第一导电型的至少一第二掺杂区，位于该第一掺杂区中；具有该第二导电型的至少一第三掺杂区，位于该第一掺杂区的一第一侧的该第一阱区中；以及具有该第二导电型的一第四掺杂区，位于该第一掺杂区的一第二侧的该第一阱区中。
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