[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710085601.0 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107204364B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄;末代知子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，第3电极设于第1半导体区域与第2电极之间。第4电极设于第1半导体区域与第2电极之间。第2半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间、以及第3电极与第4电极之间。第3半导体区域设于第2半导体区域与第2电极之间。第4半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间，与第2电极电连接，且隔着第4电极与第2半导体区域并列。第1绝缘膜设于第3电极与第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、以及第2电极之间。第2绝缘膜设于第4电极与第1半导体区域、第2半导体区域、以及第4半导体区域之间。第5半导体区域设于第1电极与第1半导体区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n第1电极；/n第2电极；/n第1导电型的第1半导体区域，设于上述第1电极与上述第2电极之间；/n第3电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间；/n第4电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，并在与第1方向交叉的第2方向上与上述第3电极并列，该第1方向是从上述第1电极朝向上述第2电极的方向；/n第2导电型的第2半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间、以及上述第3电极与上述第4电极之间，并与上述第2电极电连接；/n第1导电型的第3半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第2电极之间，并与上述第2电极电连接；/n第2导电型的第4半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，并在上述第2方向上隔着上述第4电极而与上述第2半导体区域并列，包含第1区域和第2区域，上述第2区域的杂质浓度比上述第1区域的杂质浓度高，上述第2区域在上述第1方向上设于上述第1区域与上述第2电极之间，上述第1区域以及上述第2区域电连接于上述第2电极；/n第1绝缘膜，设于上述第3电极与上述第1半导体区域、上述第2半导体区域、上述第3半导体区域、以及上述第2电极之间；/n第2绝缘膜，设于上述第4电极与上述第1半导体区域、上述第2半导体区域、以及上述第4半导体区域之间；以及/n第2导电型的第5半导体区域，设于上述第1电极与上述第1半导体区域之间，并与上述第1电极电连接，/n上述第2导电型的第4半导体区域的杂质浓度的总和低于上述第2导电型的第2半导体区域的杂质浓度的总和。/n
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