[发明专利]一种半导体场效应正反馈器件

摘要

本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧墙所覆盖的低掺杂区域。与一般的场效应正反馈器件相比，如Z²‑FET，本发明提出的器件结构具有对称性，可使用完全自对准的工艺，与MOSFET的工艺完全兼容。此器件不但保留了场效应正反馈器件的低亚阈摆幅和栅控回滞输出特性，可广泛应用于开关，存储器和静电保护等，而且工艺成本更低，工艺难度更小。

主权项

1.一种半导体场效应正反馈器件，其特征在于，由以下几个部分组成：不掺杂或是弱掺杂的衬底（1）；位于衬底（1）上的绝缘埋层（2）；位于绝缘埋层（2）上的沟道区（3）、沟道区（3）两侧的第一低掺杂区域（6）、第二低掺杂区域（7），以及重掺杂的阴极区域（10）和反型重掺杂的阳极区域（11）；覆盖沟道（3）的栅氧化层（4），以及栅氧化层（4）上的栅极（5）；栅极两侧的第一侧墙（8）和第二侧墙（9）；此外，还包括：与阴极区域（10）接触的阴极金属接触（12），与阳极区域（11）接触的阳极金属接触（13），与栅极（5）接触的栅极金属接触（14）；第一低掺杂区域（6）、第二低掺杂区域（7）的掺杂类型相同；沟道区（3）为不掺杂或者弱掺杂。