[发明专利]半导体元件及其形成方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包含多个位线、多个导电图案、多个接触垫与间隙壁。位线朝向第一方向延伸。导电图案同样是朝向第一方向延伸，位线与导电图案在与第一方向垂直的第二方向上彼此交错排列；接触垫是设置在导电图案与位线上并排列成一矩阵。间隙壁是设置在位线与导电图案之间并位于接触垫下方，其中间隙壁包含三层结构，其包含第一层、第二层以及第三层，第二层包含多个空隙层且各空隙层彼此分隔地沿着第一方向排列。

主权项

1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于包含：形成朝向一第一方向延伸的多个位线，各位线包含形成在两侧的一间隙壁，且该间隙壁包含三层结构；形成朝向该第一方向延伸的多个导电图案，其中该些位线与该些导电图案在与该第一方向垂直的一第二方向上彼此交错排列；形成一金属层，覆盖该些位线与该些导电图案；移除一部分的该金属层，以在该金属层内形成多个开口，该些开口朝向该第二方向延伸且横跨该些位线与该些导电图案，且一部分的位线与其两侧的间隙壁可自该些开口中暴露出；移除自该些开口中暴露出的该三层结构中的一第二层，以在该三层结构中形成一空隙层；以及在形成该空隙层后，移除另一部分的该金属层，以形成多个接触垫。