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[发明专利]具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法-CN202010673242.2有效
发明人：冯立伟;邹世芳;何建廷;王嫈乔;陈昱磬;庄慧伶;游奎轩 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法，具有电容连接垫的半导体结构包含一基底，一电容接触插塞设置于基底上，一电容连接垫接触并连结电容接触插塞，一位线设置于基底上以及一介电层围绕电容连接垫，介电层具有一底面低于位线的一顶面。
具有电容连接半导体结构制作方法

[发明专利]用于追踪和渲染虚拟对象的追踪系统及用于其的操作方法-CN201910304482.2有效
发明人： 何建廷;郭彦良;李杰森;浦大钧 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明提供一种用于追踪和渲染虚拟对象的追踪系统以及用于其的操作方法。该方法包含：发射多个请求无线信号；响应于由标记装置接收到请求无线信号，由标记装置发射多个对应的响应无线信号；响应于由锚阵列接收到响应无线信号，根据请求无线信号和响应无线信号来计算标记装置与锚阵列的多个锚装置中的每一个之间的多个距离，且相应地计算标记装置的绝对坐标；以及响应于通过处理器将标记装置的绝对坐标识别为在虚拟空间的所见空间中，根据标记装置的绝对坐标来将对应于实体对象的虚拟对象渲染到所见空间中。
用于追踪渲染虚拟对象系统操作方法

[发明专利]三元正极材料的制备方法、三元正极材料及锂离子电池-CN202211142404.5在审
发明人：潘昊利;马娇;于建;戚洪亮;林哲琪;郭乾坤;丁雷;何建廷;王尊志;袁徐俊 -专利权人：宁波容百新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种三元正极材料的制备方法、三元正极材料及锂离子电池，用以避免现有技术中分别制备单晶材料和多晶材料后再掺混制备复杂的问题，以制备高能量密度正极材料。该方法包括：对多晶三元前驱体和锂源的混合物进行第一烧结处理、及第二烧结处理；在第一烧结处理过程中加入第一掺杂剂，和/或，第二烧结处理的过程中加入第二掺杂剂；对第二烧结处理产物进行水洗，利用干燥设备使含水氧化物经干燥设备翻动和/或震动后破碎，得到干燥氧化物包括单晶氧化物和多晶氧化物；对干燥氧化物和包覆剂的混合物进行第三烧结处理。该方法可有效提升高能量密度三元正极材料的制备效率及压实密度，并解决掺混引起的充电‑放电时锂脱嵌效率不一的问题。
三元正极材料制备方法锂离子电池

[发明专利]一种正极活性材料及其制备方法、应用-CN202211232845.4在审
发明人：郭乾坤;马娇;于建;戚洪亮;林哲琪;潘昊利;丁雷;何建廷;王尊志;袁徐俊 -专利权人：宁波容百新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供一种正极活性材料及其制备方法、应用。本发明的正极活性材料由包括基体颗粒和覆盖所述基体颗粒至少部分表面和/或孔隙的硼化物包覆层构成；其中，所述基体颗粒具有式1所示的结构；LiNixCoyM1‑x‑yO2式1，式1中，0.6＜x≤0.96，0≤y＜0.2；M为Mn、Mg、Al、Ti、Nb、Zr、Y、Sb、Sr、Ta、Si、Mo、Sn或W中的至少一种；硼化物包覆层包括硼化锆和/或硼化钛，该正极活性材料特殊的组成有助于提升电池的循环性能，降低电池的DCR。
一种正极活性材料及其制备方法应用

[实用新型]一种自动化蟾酥采集器-CN202221770165.3有效
发明人：孟兆青;向阳;曹桂云;李樱;罗毅;何建廷 -专利权人：山东宏济堂制药集团股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： A01K29/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种自动化蟾酥采集器，属于蟾酥采集装置技术领域。一种自动化蟾酥采集器，包括采集装置、传感装置和驱动装置，所述采集装置包括上盖体和下盖体；所述传感装置包括压力传感器和电源，压力传感器的输入端与电源通过导线相连，输出端与上盖体的顶端相连；所述驱动装置包括电机、与电机传动连接的滚珠丝杠和套设滚珠丝杠上的滑块，滚珠丝杠表面安装丝杠螺母，丝杠螺母设置在滑块内部，相邻驱动组件通过连接板连接。该自动化蟾酥采集器可标准化、自动化利用蟾蜍采集蟾酥，提高采集精度和采集效率，并在采集蟾酥的同时尽可能不对蟾蜍造成伤害。
一种自动化蟾酥采集

[发明专利]天线结构-CN201811586655.6有效
发明人：浦大钧;何建廷;郭彦良 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：一种天线结构，包含基板、水平辐射体和垂直辐射体。水平辐射体位于基板上或基板中。垂直辐射体位于基板中且包含垂直导体、多个平面金属结构和开关。此些平面金属结构经由垂直导体彼此电性连接。开关位于此些平面金属结构的缺口中且耦接此些平面金属结构中的至少一者，其用以切换垂直辐射体的电流分布。本发明的天线结构具有辐射场型切换功能，可依据所在环境切换其产生的辐射场型，故在不同环境下均可具有高传输和接收效能。
天线结构

[发明专利]天线结构-CN201910063228.8有效
发明人：浦大钧;何建廷;郭彦良 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：一种天线结构，包含基板、垂直辐射体、反射结构和水平金属分支。垂直辐射体位于基板中。反射结构在横向上设置于垂直辐射体外。水平金属分支耦接至反射结构。本发明可在基板的侧边产生垂直极化和水平极化的辐射场型，进而增强无线收发效能。
天线结构

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN201710059512.9有效
发明人：冯立伟;王嫈乔;刘姿岑;蔡综颖;何建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包含多个位线、多个导电图案、多个接触垫与间隙壁。位线朝向第一方向延伸。导电图案同样是朝向第一方向延伸，位线与导电图案在与第一方向垂直的第二方向上彼此交错排列；接触垫是设置在导电图案与位线上并排列成一矩阵。间隙壁是设置在位线与导电图案之间并位于接触垫下方，其中间隙壁包含三层结构，其包含第一层、第二层以及第三层，第二层包含多个空隙层且各空隙层彼此分隔地沿着第一方向排列。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]具有接触插塞的半导体结构及其制作方法-CN201710224689.X有效
发明人：冯立伟;王嫈乔;何建廷;陈凯评 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种具有接触插塞的半导体结构及其制作方法，该具有接触插塞的半导体结构包含一基底，基底上定义有一存储器区以及一周边电路区，存储器区内包含有至少一存储单元，存储单元包含有一晶体管和一电容结构，一平坦化第一堆叠介电层覆盖周边电路区，平坦化第一堆叠介电层包含二第一介电层和一第二介电层，第一介电层和第二介电层以第一介电层、第二介电层和第一介电层的顺序由下至上依序排列，其中在最下方的第一介电层延伸至存储器区并且覆盖电容结构，一接触插塞位于周边电路区并且贯穿平坦化第一堆叠介电层。
具有接触半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件以及其制作方法-CN201710011195.3有效
发明人：刘姿岑;冯立伟;何建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件以及其制作方法，包括提供基板、多条字符线与多条位线，然后于各源极/漏极区上形成存储节点接触，使各存储节点接触的上表面于一方向上的宽度小于各存储节点接触的下表面于此方向上的宽度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]整合式天线结构-CN201810990983.6有效
发明人：浦大钧;何建廷;郭彦良 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：一种整合式天线结构，包含基板以及双极化天线单元。双极化天线单元设置于基板中且靠近基板的侧边。双极化天线单元包含水平极化天线和垂直极化天线，其中水平极化天线用以产生水平极化波束，而垂直极化天线用以产生垂直极化波束。本发明的整合式天线结构在其基板的边缘处配置有双极化天线单元，以在基板的侧边产生双极化辐射场型，增加天线传输及接收效果。
整合天线结构

[发明专利]通信系统及通信方法-CN201810203649.1有效
发明人：浦大钧;李杰森;何建廷;郭彦良 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种通信系统，应用于实体空间。通信系统包含第一收发器以及通信装置。第一收发器固定地设置于实体空间，而通信装置系可动地设置于实体空间。通信装置包含基座、第二收发器、检测电路、悬臂以及处理器。第二收发器具有朝向，第二收发器用以与第一收发器交换信号。检测电路用以检测通信装置相对于第一收发器的移动，进而产生检测信息。悬臂系可动地设置于基座上，悬臂用以承载第二收发器。处理器用以根据检测信息控制悬臂的活动，借以维持第二收发器的朝向面对第一收发器。本发明的通信系统使通信装置上的第二收发器得以持续指向第一收发器，使信号交换不致中断，进而维持通信的稳定性。
通信系统方法

[发明专利]半导体装置-CN201710063718.9有效
发明人：冯立伟;王嫈乔;蔡综颖;陈凯评;何建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包含基底、多个主动区、多个位线与多个虚置位线。基底包含有存储器区与周边区。多个主动区是定义在基底上，而多个位线则是彼此平行且分隔地设置在基底上，并位于存储器区内且横跨主动区。多个虚置位线设置在位线的一侧，虚置位线彼此连接且各虚置位线之间具有不同的间距。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置的制作方法-CN201611252222.8有效
发明人：张峰溢;何建廷;邹世芳;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储装置的制作方法，对半导体基底上的存储节点接触进行清洗处理，并于清洗处理之后于存储节点接触上形成金属硅化物层，且于金属硅化物层形成之后再形成栅极接触开口贯穿半导体基底上的晶体管的盖层而暴露出晶体管的栅极结构。通过本发明的半导体存储装置的制作方法，可避免晶体管的栅极结构被存储节点接触的清洗处理产生影响或/及破坏，故可确保晶体管的电性表现正常。
半导体存储装置制作方法

[发明专利]形成图案的方法-CN201611199076.7有效
发明人：冯立伟;魏铭德;林裕杰;王嫈乔;何建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种形成图案的方法，可解决不同图案密度的区域于自对准双倍图案(self‑aligned‑doubled patterning,SADP)制作工艺中产生的负载效应而导致的问题，主要于第二材料层厚度较薄的区域上额外形成一第三材料层，以于回蚀刻制作工艺中作为第二材料层的回蚀刻缓冲层，可减少第二材料层厚度较薄的区域于该回蚀刻制作工艺中的移除量。
形成图案方法

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