[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710039145.6 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN107204329B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一电极层和第二电极层。第一电极层沿第一方向延伸。第二电极层沿第一方向延伸为与第一电极层不同的长度，并且在第二方向上相对于第一电极层的中心线对称。第二电极层与第一电极层构成电容器。本发明实施例涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一电极层，沿第一方向延伸；以及第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上。
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