[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一电极层，沿第一方向延伸；

第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上；

介电层，位于所述第一电极层和第二电极层之间；以及

阱，所述阱具有凹槽，所述第一电极层的一部分和所述第二电极层的一部分在所述阱的所述凹槽中形成，

其中，所述第一电极层、所述介电层和所述第二电极层彼此共形并且均与所述阱的上表面的形状共形；

其中，所述第二电极层暴露所述第一电极层的终端部分，所述终端部分包括：

侧壁；

表面；以及

拐角，将所述侧壁与所述表面连接，其中，所述拐角为圆弧形。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述介电层沿所述第一方向延伸为与所述第二电极层相同的长度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极层延伸的长度短于所述第一电极层延伸的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极层部分覆盖所述第一电极层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述表面的长度介于10埃到10000埃的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

衬底，所述阱限定在所述衬底中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二电极层暴露所述第一电极层的终端部分，并且所述终端部分设置在所述衬底上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一电极层包含第一材料，并且所述第二电极层包含与所述第一材料不同的第二材料。

9.一种半导体器件，包括：

结构，包括：

第一部分，沿第一方向延伸；

第二部分，从所述第一部分的中心部分沿第二方向凸出，并且相对于所述第一部分的中心线对称，所述第一部分的中心线在所述第二方向上；以及

介电层，位于所述第一部分和第二部分之间；以及

阱，所述阱具有凹槽，所述第一部分的一部分和所述第二部分的一部分在所述阱的所述凹槽中形成，其中，所述第一部分、所述介电层和所述第二部分彼此共形并且均与所述阱的朝向所述结构的表面的形状共形；

其中，所述第二部分暴露所述第一部分的终端部分，所述终端部分包括：

表面；

侧壁；以及

拐角，将所述表面与所述侧壁连接，其中，所述拐角为圆弧形。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述结构的材料包含聚合物、电介质和金属中的一种。

11.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括第一导电层和位于所述第一导电层上方的第二导电层；

在所述第二导电层上提供光刻胶层；

通过图案化所述光刻胶层形成第一图案化光刻胶层；

通过将所述第一图案化光刻胶层用作掩模，将所述第二导电层图案化为第一图案化第二导电层；

通过修整所述第一图案化光刻胶层形成第二图案化光刻胶层；以及

通过将所述第二图案化光刻胶层用作掩模，将所述第一导电层图案化为第一图案化第一导电层，并且将所述第一图案化第二导电层图案化为第二图案化第二导电层，其中，所述第一图案化第一导电层的长度大于所述第二图案化第二导电层的长度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，通过修整所述第一图案化光刻胶层形成所述第二图案化光刻胶层包括：

通过将所述第一图案化光刻胶层的表面、第一侧壁和第二侧壁修整为相同的长度，形成所述第二图案化光刻胶层。