[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括第一电极层和第二电极层。第一电极层沿第一方向延伸。第二电极层沿第一方向延伸为与第一电极层不同的长度，并且在第二方向上相对于第一电极层的中心线对称。第二电极层与第一电极层构成电容器。本发明实施例涉及半导体器件。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件。

背景技术

通常，深沟槽电容器(DTC)可作为印刷电路板(PCB)中的陶瓷电容器的替代。但是，传统DTC需要额外的接合区，用于将接触件接合至衬底。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电极层，沿第一方向延伸；以及第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：结构，包括：第一部分，沿第一方向延伸；以及第二部分，从所述第一部分的中心部分沿第二方向凸出，并且相对于所述第一部分的中心线对称，所述第一部分的中心线在所述第二方向上。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括第一导电层和位于所述第一导电层上方的第二导电层；在所述第二导电层上提供光刻胶层；通过图案化所述光刻胶层形成第一图案化光刻胶层；通过将所述第一图案化光刻胶层用作掩模，将所述第二导电层图案化为第一图案化第二导电层；通过修整所述第一图案化光刻胶层形成第二图案化光刻胶层；以及通过将所述第二图案化光刻胶用作掩模，将所述第一导电层图案化为第一图案化导电层，并且将所述第一图案化第二导电层图案化为第二图案化第二导电层。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，可更好地理解本公开的各方面。应注意到，根据本行业中的标准惯例，各种部件未按比例绘制。实际上，为了简化说明，可以任意增加或减少各种部件的尺寸。

图1A是根据本公开的一些实施例的具有对称结构的半导体器件的截面图。

图1B为放大图，清楚地展示了根据本公开的一些实施例的图1A中所示的第一电极层的拐角轮廓。

图2A到2J展示了根据本公开的一些实施例的图1A中所示的半导体器件的制造方法。

图3A到3C是用于解释根据本公开的一些实施例的蚀刻速率和蚀刻角度之间的关系。

图4为根据本公开的一些实施例的半导体器件的截面图。

图5为根据本公开的一些实施例的半导体器件的截面图。

图6为根据本公开的一些实施例的半导体器件的半导体结构的截面图。

具体实施方式

以下公开提供了许多不同的实施例或示例，用于实现本发明的不同功能。下文描述了组件和布置的具体实例，以简化本公开。当然，这些仅仅是实例，并不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件或其上方形成的第一部件可能包含所述第一，第二部件形成为直接接触的实施例，及包括在第一，第二部件之间形成额外的部件，从而使得第一，第二部件可不直接接触的实施例。此外，本公开可重复多个示例中的标号和/或字母。这种重复是出于简洁与清晰目的，其本身并不表示所论述的各种实施例和/或构造间存在关系。

图1A是根据本公开的一些实施例的具有对称结构的半导体器件1的截面图。参考图1A，半导体器件1包括第一电极层12、介电层16和第二电极层14。第一电极层12、介电层16和第二电极层14共同限定(或形成)电容器。