[发明专利]半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件的制作方法，至少包含有以下步骤:首先，提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有一第一晶体管以及一电容结构，该周边区包含有至少一第二晶体管，接着于该存储区域以及该周边区域内，以一原子层沉积方式形成一第一绝缘层，至少覆盖该存储区域内的各该存储单元的该电容结构以及该周边区域内的该第二晶体管，然后形成一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上，以及于该周边区域内的该第二绝缘层内形成一接触结构，至少电连接该第二晶体管。

主权项

1.一种半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有第一晶体管以及电容结构，该周边区包含有至少一第二晶体管；在该存储区域以及该周边区域内，以一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)方式形成一第一绝缘层，至少覆盖该存储区域内的各该存储单元的该电容结构以及该周边区域内的该第二晶体管；形成一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上；以及在该周边区域内的该第二绝缘层内形成一接触结构，至少电连接该第二晶体管。