[发明专利]固体前驱物的冷烧结有效
| 申请号： | 201680063196.6 | 申请日： | 2016-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN108350574B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | T·H·鲍姆;Y·李;D·J·埃尔德里奇;R·L·赖茨 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C01G41/00;C23C16/06;C23C16/455;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述一种固体递送前驱物，其可用于挥发以产生用于气相沉积工艺的前驱物蒸汽。所述固体递送前驱物包括例如呈例如丸粒、薄片、小片、珠粒、圆盘或单块的形式的压实颗粒前驱物的固体本体。当利用于例如化学气相沉积、脉冲化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积工艺中时，相对于颗粒前驱物，呈压实颗粒前驱物的固体本体形式的所述固体递送前驱物在经受挥发条件时提供基本上增加的前驱物蒸汽通量。因此，气相沉积工艺操作可在较短时间周期内实施，借此实现例如半导体产品、平板显示器、太阳能板、LED、光学涂层等产物的增大的制造速率。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 前驱 烧结 | ||
【主权项】：
1.一种固体递送前驱物，其可用于挥发以产生用于气相沉积工艺的前驱物蒸汽，所述固体递送前驱物包括压实颗粒前驱物的固体本体。
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- 2023-03-06 - 2023-07-07 - C23C16/448
- 本实用新型提供了一种利用雾化学气相沉积生长氧化物薄膜的装置系统，包括进料及雾化单元、混合装置、反应装置和真空发生装置；所述进料及雾化单元包括相互并联的至少2套进料及雾化组件，每套进料及雾化组件包括相互串联的进料装置和雾化装置，且所述雾化装置连接于混合装置；所述进料装置和雾化装置的底部分别独立地设置有称重传感装置；所述进料装置和雾化装置之间设置有料液启停装置，所述雾化装置的侧壁设置有液位传感装置，且所述液位传感装置电连接于所述料液启停装置。本实用新型提供的装置系统提升了雾化效率的稳定性，增强了装置的实时反馈功能，改善了反应区域内气体流场的均匀性与衬底受热均匀性，进而提高了成膜效率与质量。
- 高蒸汽压输送系统-202222851329.1
- S·L·巴特尔;J·N·格雷格;D·K·奈托;B·亨德里克斯 - 恩特格里斯公司
- 2022-10-27 - 2023-07-07 - C23C16/448
- 本申请案涉及高蒸汽压输送系统。一种系统包含汽化器容器。所述汽化器容器包含流体连接到所述汽化器容器的出口。加热器经配置以加热所述汽化器容器。阀经配置以调节所述出口处汽化材料的压力。响应于所述出口处的所述压力在设置压力范围外，所述加热器经配置以增加或减少到所述汽化器容器的热。
- 成膜装置及其使用方法-202211657325.8
- 永冈达司;西中浩之;吉本昌广 - 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学
- 2022-12-22 - 2023-06-30 - C23C16/448
- 一种用于在衬底的表面上形成膜的成膜装置，包括：衬底放置在其上的工作台；雾产生源，其产生至少含有水并且用于形成膜的材料溶解在其中的溶液的雾；供给路径，其通过载气的流动朝向工作台上的衬底输送由雾产生源产生的雾；以及加热器，其加热供给路径的至少一部分。由加热器加热的供给路径的该部分设置为雾加热段，在雾加热段中，红外线从供给路径的内表面朝向雾辐射。雾加热段中的供给路径的内表面涂覆有涂层，该涂层包含存在于所述雾中的元素的氧化物和氢氧化物中的至少一种。
- 一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法-202310552763.6
- 母凤文;郭超 - 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
- 2023-05-17 - 2023-06-27 - C23C16/448
- 本发明提供了一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法。所述反应腔室开设有气体入口和气体出口，所述反应腔室通过所述气体入口连接有雾化装置；所述反应腔室的顶部设置有真空紫外透过窗，所述真空紫外透过窗远离所述反应腔室的一侧设置有真空紫外光源，所述真空紫外光源的发射端朝向所述真空紫外透过窗；所述反应腔室的底部设置有样品台，所述样品台的顶面位于所述反应腔室的内腔中。本发明将真空紫外光源与雾化气相沉积装置结合，以实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积，能大大提高沉积薄膜的质量。
- 一种旋转式多源雾化装置及多层氧化物薄膜气相沉积系统-202321295305.0
- 刘洋;郭超;母凤文 - 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
- 2023-05-26 - 2023-06-27 - C23C16/448
- 本实用新型提供了一种旋转式多源雾化装置及多层氧化物薄膜气相沉积系统，所述旋转式多源雾化装置包括超声波发生模块与雾化模块，所述雾化模块包括旋转支架，所述旋转支架上转动设置有至少两个储液罐体，所述储液罐体的底部设置有隔膜，所述储液罐体内容纳有原料溶液，所述旋转支架用于带动至少两个所述储液罐体交替置于所述超声波发生模块上，所述超声波发生模块用于雾化所述储液罐体内的原料溶液形成雾气。本实用新型能够为薄膜生长提供多种不同的原料溶液，解决了传统Mist‑CVD只能生长单层薄膜的限制，且可以获得高结晶度的多层薄膜。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
