[实用新型]掩膜板有效

申请号：	201620809777.7	申请日：	2016-07-29
公开（公告）号：	CN205844737U	公开（公告）日：	2016-12-28
发明（设计）人：	范波涛	申请（专利权）人：	昆山国显光电有限公司
主分类号：	G03F1/50	分类号：	G03F1/50;G03F1/00
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237	代理人：	智云
地址：	215300 江苏省苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：支撑掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撑掩膜板上，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应。在本实用新型实施例提供的掩膜板中，通过所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，即所述过渡区中存在镂空的部分，由此可以提高掩膜板的应力分散效果。进一步的，通过还包括支撑掩膜板，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应，从而通过所述支撑掩膜板可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的了。
搜索关键词：	掩膜板
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【主权项】：

一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：支撑掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撑掩膜板上，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应。

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摘要：本发明公开了一种掩膜板的制备方法和掩膜板，属于液晶技术领域。方法包括：制备第一复合膜层，所述第一复合膜层包括第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层；按照产品上的待曝光区域，对第一复合膜层中的第一保护层、粘贴层和遮挡层进行切割，得到第二复合膜层；揭除所述第二复合膜层中的第一保护层以及所述待曝光区域对应的粘贴层和遮挡层，得到第三复合膜层；将所述第三复合膜层贴附在透明基板上，去除所述第二保护层。本发明大大简化掩膜板制作的繁琐程度，减少制作耗时。

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摘要：本发明所述的一种掩膜板，包括层叠设置的骨架层、粘合剂层以及石墨烯层；骨架层、粘合剂层、石墨烯层中分别开设有若干贯通的第一开口、第二开口、第三开口；第一开口、第二开口、第三开口在垂直于掩膜板所在平面方向上贯通设置。石墨烯层通过粘合剂层粘附在骨架层上，质量轻、强度大、原料成本低，使用及清洗过程中不易损坏，有效降低了掩膜板的使用成本。掩膜板的开口大小由第三开口控制，开口面积大、定位精确、分辨率高。本发明所述的掩膜板的制备方法，石墨烯层通过压合工艺形成在粘合剂层上，第一开口通过刻蚀工艺或者电铸工艺形成，第二开口通过光刻工艺形成，工艺简单、精度要求低，有效降低了生产成本。

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摘要：制作光掩模的方法包括以射线选择性曝光空白光掩模的部分，改变空白光掩模曝光至射线的部分的光学性质，因此形成空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的图案。图案对应多个半导体装置结构的图案。

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申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种显示基板及其制作方法以及显示基板制作系统和显示装置，上述方法包括：通过第一掩膜板在第一电路和第四电路之上形成第一子像素；通过第二掩膜板在第二电路和第四电路之上形成第二子像素；通过第三掩膜板在第三电路和第四电路之上形成第三子像素，第四电路上的第一子像素、第二子像素和第三子像素叠加形成第四子像素。根据本发明的技术方案，由于掩膜板的每个开口对应两个子像素区域，相对于现有技术中掩膜板的开口对应一个子像素区域，掩膜板的开口面积较大，可以降低受到外力或磁场而发生形变的程度，从而可以提高形成子像素的精度，提高制作良率。

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申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏，且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。

空白掩模和光掩模-201410521130.X
发明人：南基守;姜亘远;申澈;李钟华;梁澈圭;金昌俊;郑始俊;张圭珍 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供具有半节距为32纳米或小于32纳米(尤其半节距为22纳米或小于22纳米)的高分辨率图案的光掩模，其通过形成空白掩模来制造，在所述空白掩模中，在透明衬底上形成不透光膜和相对于所述不透光膜厚度较小并且蚀刻选择性较高的硬膜。光掩模可以通过调节构成不透光膜的金属、硅以及少量元素的组成比率而具有较高质量，以抑制在电子束修复工艺期间二氟化氙气体对图案的破坏。

掩膜版、曝光装置-201721711052.5
发明人：闫春龙;甄龙;李强;王德龙;李泽成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本实用新型提供一种掩膜版、曝光装置，属于曝光技术领域，其可解决利用现有的掩膜版进行曝光会牺牲基板利用率的问题。本实用新型的掩膜版包括：第一透光区，其允许第一波段的光通过，而过滤第二波段的光；第二透光区，其允许第二波段的光通过，所述第二波段的光为用于曝光的光。

一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构-201721818444.1
发明人：井亚会;戚丽娜;俞义长;张景超;林茂;刘利峰;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本实用新型属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本实用新型通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。

一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构-201711408786.0
发明人：井亚会;戚丽娜;俞义长;张景超;林茂;刘利峰;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。

掩膜版、曝光装置及曝光方法-201711309955.5
发明人：闫春龙;甄龙;李强;王德龙;李泽成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供一种掩膜版、曝光装置及曝光方法，属于曝光技术领域，其可解决利用现有的掩膜版进行曝光会牺牲基板利用率的问题。本发明的掩膜版包括第一透光区，其允许第一波段的光通过，而过滤第二波段的光；第二透光区，其允许第二波段的光通过，所述第二波段的光为用于曝光的光。

一种掩膜版及其制作方法-201610808108.2
发明人：高志豪 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种掩膜版及其制作方法。所述制作方法包括提供一掩膜基板，所述掩膜基板包括相对的玻璃面和蒸镀面；采用激光在所述掩膜基板的玻璃面侧形成多个相互独立的凹槽；采用黄光工艺在所述掩膜基板的蒸镀面侧对应所述凹槽形成多个开孔，所述多个开孔分别与对应的凹槽连通。本发明实施例提供的技术方案，相对于现有技术中分别在玻璃面和蒸镀面采用黄光工艺的掩膜版制作方法，减少了一次黄光工艺，进而提高了掩膜版的制作效率，且由于采用激光形成的凹槽与对应开孔连通后能够平滑过渡，避免了连接处阴影效应的产生，提高了掩膜版的精度。

紫外光固化掩膜板及其制作方法和固化方法-201710649896.X
发明人：项小群 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供了一种紫外光固化掩膜板及其制作方法和固化方法。所述紫外光固化掩膜板包括掩膜板基板，在所述掩膜板基板上设置有阻挡区域及透光区域，所述阻挡区域对应液晶显示面板的液晶区，所述透光区域对应液晶显示面板的外框的封框胶所在区域，且所述透光区域允许紫外光透过，在所述透光区域设置至少一个改变光路装置，所述改变光路装置能够改变紫外光的光路。本发明的优点在于，在紫外光固化掩膜板上增加改变光路装置，可以使垂直照射至紫外光固化掩膜板的紫外光能够完整、均匀地照射到液晶显示面板被金属线遮挡的区域，从而充分固化封框胶，避免穿刺风险。

空白掩模-201611063823.4
发明人：涂志强;陈俊郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明实施例提供一种空白掩模及一种掩模。所述空白掩模包含衬底及嵌入所述衬底中的蚀刻停止层。所述掩模包含具有所述经嵌入的蚀刻停止层的所述空白掩模及形成于所述空白掩模中的多个凹槽。所述凹槽使所述经嵌入的蚀刻停止层曝光。

一种掩膜及包含该掩膜的设备-201611241237.4
发明人：王松;张瑞军;李培宏 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明针对现有的封框胶固化技术中使用的掩膜种类繁多且需要手动更换的问题，提出了一种掩膜。本发明提出的掩膜采用偏振方向相互垂直的X偏光片和Y偏光片交叠设置，得到交叠区域，交叠区域不允许光线透过，交叠区域之外的区域允许光线透过。通过合理设置X偏光片的数量和/或Y偏光片的数量，得到与液晶区向匹配的交叠区域，交叠区域将液晶区完全遮盖，使得曝光光线只对液晶区外的封框胶进行固化。该掩膜可以适用于不同尺寸的封框胶固化，不再需要另外制作封框胶固化掩膜，减少了制程中掩膜的种类和数量，本发明同时提出了包含该掩膜的设备，替代了手工操作，提高了生产效率。

掩膜板、曝光机和玻璃基板的曝光方法-201611238151.6
发明人：周波;李青;王丽红;郑权 -专利权人：东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本公开涉及一种掩膜板、曝光机和玻璃基板的曝光方法。所述曝光机包括传送装置(3)、掩膜板(1)和光源(2)，所述传送装置(3)传送玻璃基板(6)经过所述掩膜板(1)，所述光源(2)通过开设在所述掩膜板(1)上的透光孔照射所述玻璃基板(6)，其特征在于，所述掩膜板(1)形成为可绕轴线回转的筒状结构，该筒状结构的轴线沿所述玻璃基板(6)的宽度方向延伸，所述光源(2)固定地设置在所述掩膜板(1)的空腔内，所述曝光机还包括用于带动所述掩膜板(1)回转的驱动装置(4)。

掩膜板-201620809777.7
发明人：范波涛 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本实用新型提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：支撑掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撑掩膜板上，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应。在本实用新型实施例提供的掩膜板中，通过所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，即所述过渡区中存在镂空的部分，由此可以提高掩膜板的应力分散效果。进一步的，通过还包括支撑掩膜板，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应，从而通过所述支撑掩膜板可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的了。

一种制备大面积亚波长级纳米图案的方法-201610262162.1
发明人：霍峰蔚;吴进;邹冰花;张所瀛 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种制备大面积亚波长级纳米图案的方法，利用表面具有半球形阵列的弹性掩模版进行简单的光刻，得到纳米图案。本方法具有操作简单，效率高，生产成本低廉，过程设备简单，容易放大等特点，且制备的纳米图案兼具大面积和亚波长级特征尺寸的优势，在信息，能源，生物技术，制造等领域有很大的应用前景。

两层光阻剥离工艺-201510976267.9
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摘要：本发明公开了一种两层光阻剥离工艺，包括以下步骤：将晶圆旋转，在晶圆的中心滴入非感光光阻，通过旋转的方式在晶圆表面均匀覆盖一层一定厚度的非感光光阻，涂布完成后，将晶圆送入热板进行固化，固化完成后表示第一层光阻涂布完成；将第一次光阻涂布完成的晶圆经过充分冷却后用第一层光阻的旋涂方式涂布第二层光阻，涂布完成后；将涂布好两层光阻的晶圆依照光罩的尺寸进行曝光；放入显影液中进行显影，通过调整显影时间和次数，从而将两层光阻之间的侧向距离调整到一定范围，保证后制程金属蒸镀时光阻侧壁不会被金属包裹。该工艺能够通过调整显影时间和次数来调节两层光阻之间的侧向距离，避免后制程金属蒸镀过程中光阻侧壁被金属包裹。

光掩模坯-201510575349.2
发明人：深谷创一;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50
摘要：光掩模坯包括含有选自由氮、氧、碳和氢组成的组中的至少一种的铬系材料膜作为硬掩模膜，其中每单位膜厚度的蚀刻速率之比(A/B)在0.7-0.9的范围内，并且该铬系材料膜具有对应于70nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有耐蚀刻性提高并且膜应力降低的铬系材料的薄膜的光掩模坯。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。

激光直写用超分辨掩膜板及其制备方法-201510777099.0
发明人：张奎;魏劲松;魏涛;耿永友;王阳;吴谊群 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50
摘要：一种激光直写用超分辨掩膜板及其制备方法，该超分辨掩膜板的结构包括作为基底的盖玻片、相变薄膜层和介电保护层。该发明的膜层结构采用磁控溅射法制备，具有膜层结构简单，制备工艺可控性好等优点。采用本发明超分辨掩膜板，在不需要复杂的光机装置及真空设备的条件下就可以获得高分辨率的微纳图形结构，且因为超分辨掩膜板中相变薄膜的非线性吸收特性具有可逆性，使得该掩膜板可以重复使用，有效节约成本。

光掩模坯-201510575362.8
发明人：深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50
摘要：光掩模坯包括铬系材料膜作为遮光膜，其中该铬系材料膜具有至少0.050/nm的波长193nm下的每单位厚度的光学密度，并且该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有铬系材料的薄膜的光掩模坯，该铬系材料的薄膜在保持高的每单位膜厚度的光学密度的同时膜应力降低。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。

精密掩膜板-201520571698.2
发明人：范波涛;王水俊;王亚 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本实用新型揭示了一种精密掩膜板。在本实用新型提供的精密掩膜板中，所述精密掩膜板包括沿第一方向分布的图案区以及位于其两侧的应力释放区，所述应力释放区包括沿第一方向分布的第一应力释放单元及第二应力释放单元，所述第二应力释放单元包括多个间隙。相比现有技术，本实用新型能够使得精密掩膜板的两端由于拉伸产生的不平衡的力迅速得以扩散，从而减少皱褶的发生，以提高精密掩膜板的质量。

掩膜装置及掩膜系统-201510308594.7
发明人：曾杰;李安石 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明实施例公开一种掩膜装置及掩膜系统。掩膜装置包括滚筒掩膜版及置于滚筒掩膜版内的光源组件。滚筒掩膜版的外表面上设置有掩膜图案，光源组件的外表上设置有光源。在光源的照射下，滚筒掩膜版在玻璃基板上滚过时，可在玻璃基板的感光材料上形成掩膜图案。本发明在不需要制作大面积掩膜板的情况下，可在大面积的玻璃基板的感光材料上形成掩膜图案，从而节省成本。

一种制备连续面形螺旋相位板的方法-201510243020.6
发明人：史立芳;曹阿秀;郭书基;邓启凌;张满;庞辉;王佳舟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种制备连续面形螺旋相位板的方法，涉及微细加工，自旋光学等领域。本发明针对现有的技术在制备螺旋相位板时，存在制备效率低，成本高等缺点，提出一种新型的连续面形螺旋相位板制备的方法。该方法通过对目标面形进行量化组合而形成掩模结构，利用该掩模结构实现对曝光量的调制，进而可以利用单次曝光实现连续面形螺旋相位板的制备，是一种成本低，效率高，实用并具有较大应用前景的新方法。

光掩膜坯料的制造方法-201410499396.9
发明人：吉井崇;河合义夫;稻月判臣;渡边聪;池田显;桜田豊久;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

空白掩模和使用所述空白掩模来制造光掩模的方法-201310273623.1
发明人：南基守;姜亘远;梁澈圭;李钟华;张圭珍 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明有关于一种具有光屏蔽层以及硬掩模膜的空白掩模，所述光屏蔽层包含光阻挡层以及抗反射层。所述光阻挡层以及所述抗反射层通过组合由MoSi化合物形成的层与由MoTaSi化合物形成的层而形成。因此，所述空白掩模实现32纳米或更小的图案的形成，这是因为所述光屏蔽层可形成为200埃到700埃的厚度且形成具有对应于所述图案的分辨率的图案逼真度的光掩模。所述光屏蔽层具有在193纳米的曝光波长下的2.0到4.0的光学密度、耐化学性以及用于缺陷修补的充足工艺裕量。另外，硬掩模膜使用包含锡和铬的化合物而形成为20埃到50埃的厚度，进而降低硬掩模膜的蚀刻速率。因此，抗蚀剂膜可形成为薄膜，进而制造高分辨率空白掩模。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[实用新型]掩膜板有效

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