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[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模-CN201510126156.9有效
发明人：南基守;梁澈圭;姜亘远;申澈;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社S&;S技术
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模。所述空白掩模可以适用于在所述光掩模的制造之后通过在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失，以使得在光掩模的制造方法中在洗涤工艺和硬膜图案的去除工艺期间，当执行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除工艺时，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失，由此确保厚度均匀性。
空白使用光掩模

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN201410521130.X有效
发明人：南基守;姜亘远;申澈;李钟华;梁澈圭;金昌俊;郑始俊;张圭珍 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供具有半节距为32纳米或小于32纳米(尤其半节距为22纳米或小于22纳米)的高分辨率图案的光掩模，其通过形成空白掩模来制造，在所述空白掩模中，在透明衬底上形成不透光膜和相对于所述不透光膜厚度较小并且蚀刻选择性较高的硬膜。光掩模可以通过调节构成不透光膜的金属、硅以及少量元素的组成比率而具有较高质量，以抑制在电子束修复工艺期间二氟化氙气体对图案的破坏。
空白掩模不透光光掩模节距电子束高分辨率图案蚀刻选择性二氟化氙修复工艺衬底硬膜金属图案透明制造

[发明专利]空白罩幕以及光罩的制造方法-CN201280069965.5有效
发明人：南基守;姜亘远;李钟华;梁澈圭;权顺基 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种制造光罩(其中硬罩膜图案是用来作为蚀刻罩幕，以蚀刻在硬罩膜图案下的相反转膜)的方法。本发明还提供一种用于制造光罩的方法的空白罩幕以及使用空白罩幕的光罩。根据本发明，可将用于图案化硬罩膜的光阻膜形成为薄厚度，并且可使用具有高蚀刻选择性的硬罩膜图案来蚀刻相反转膜，且因此，光罩可由藉由遮光膜图案而将光学密度维持为3.0的方式来制造，同时可增加图案的分辨率与精确度、减少负载效应以及改善关键尺寸特性(如关键尺寸均匀度与关键尺寸线性度)。
空白及其制造方法

[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模来制造光掩模的方法-CN201310273623.1有效
发明人：南基守;姜亘远;梁澈圭;李钟华;张圭珍 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明有关于一种具有光屏蔽层以及硬掩模膜的空白掩模，所述光屏蔽层包含光阻挡层以及抗反射层。所述光阻挡层以及所述抗反射层通过组合由MoSi化合物形成的层与由MoTaSi化合物形成的层而形成。因此，所述空白掩模实现32纳米或更小的图案的形成，这是因为所述光屏蔽层可形成为200埃到700埃的厚度且形成具有对应于所述图案的分辨率的图案逼真度的光掩模。所述光屏蔽层具有在193纳米的曝光波长下的2.0到4.0的光学密度、耐化学性以及用于缺陷修补的充足工艺裕量。另外，硬掩模膜使用包含锡和铬的化合物而形成为20埃到50埃的厚度，进而降低硬掩模膜的蚀刻速率。因此，抗蚀剂膜可形成为薄膜，进而制造高分辨率空白掩模。
空白使用掩模来制造光掩模方法

[发明专利]相移空白掩模及其制造方法-CN201310163203.8有效
发明人：南基守;姜亘远;金东建;张种沅;崔珉箕 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移空白掩模，其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此，包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供，所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外，可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级，这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此，可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。
相移空白及其制造方法

[发明专利]空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜-CN201210407024.X有效
发明人：南基守;姜亘远;李钟华;梁澈圭;权顺基 -专利权人： S&S技术股份有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。
空白使用光掩膜