[实用新型]一种MOSFET器件有效
| 申请号： | 201620786973.7 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN205845957U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;曹务臣;于博伟;贾国;迟永欣 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 毕强 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOSFET器件。其包括肖特基二极管和沟槽MOSFET，沟槽MOSFET由下到上依次包括N+衬底、耐压漂移区、P型体区外延层和N+源区外延层；在沟槽MOSFET的上端开设有栅区沟槽和肖特基沟槽，且两者均位于耐压漂移区内，肖特基沟槽深于栅区沟槽；在栅区沟槽内固定设置有栅电极，栅电极与栅区沟槽间存在栅氧化层，栅电极的上半部分外围设置有栅电极绝缘保护层；肖特基二极管的下端与肖特基沟槽配合；肖特基二极管与沟槽MOSFET的源极公用金属电极。本实用新型提供的MOSFET器件，能够增强栅氧化层的可靠性，制造成本得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种MOSFET器件，其特征在于，包括肖特基二极管和沟槽MOSFET；其中，所述沟槽MOSFET由下到上依次包括N+衬底、耐压漂移区、P型体区外延层和N+源区外延层，且每相邻两层之间均紧密接触；所述沟槽MOSFET的上端中间位置开设有栅区沟槽；所述沟槽MOSFET的上端边缘位置开设有肖特基沟槽；所述栅区沟槽和所述肖特基沟槽的底面均位于所述耐压漂移区的内部；所述肖特基沟槽的深度大于所述栅区沟槽的深度；所述沟槽MOSFET还包括栅电极；所述栅电极固定设置在所述栅区沟槽中；所述栅区沟槽与所述栅电极之间存在栅氧化层；所述栅电极高出所述栅区沟槽的部分的外围设置有栅电极绝缘保护层；所述肖特基二极管的下端通过所述肖特基沟槽与所述沟槽MOSFET的上端配合；所述肖特基二极管与所述沟槽MOSFET的源极共用金属电极。
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