[实用新型]一种高导电率的沟槽式肖特基芯片有效
| 申请号： | 201620604016.8 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN205810825U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高导电率的沟槽式肖特基芯片，属于半导体制造领域。其特征在于：其特征在于：包括外延层（4），在外延层（4）的表面设置有多个沟槽，在沟槽的侧壁下部以及沟槽的底部设置有沟槽底部氧化层（3），在沟槽底部氧化层（3）内部填充有多晶硅（2），在外延层（4）的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅（2）的上表面上设置有肖特基界面（1）。通过本高导电率的沟槽式肖特基芯片，在相同芯片面积的前提下，兼顾了芯片的耐压能力以及正向压降，同时提高了肖特基芯片的导电面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 沟槽 式肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种高导电率的沟槽式肖特基芯片，其特征在于：包括外延层（4），在外延层（4）的表面设置有多个沟槽，在沟槽的侧壁下部以及沟槽的底部设置有沟槽底部氧化层（3），在沟槽底部氧化层（3）内部填充有多晶硅（2），在外延层（4）的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅（2）的上表面上设置有肖特基界面（1）。
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