[实用新型]MOSFET封装结构

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET封装结构，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区，漏极区上沉积有金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有导电层，该导电层延伸至基板表面上，作为漏极导电垫，MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部，漏极区的金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体；硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。这样，可将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果。

主权项

一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括硅基板(100)和MOSFET芯片(200)，所述MOSFET芯片正面包含有源极导电垫(201)和栅极导电垫(202)，所述MOSFET芯片背面包含有漏极区，所述漏极区覆盖有金属层(203)，所述硅基板具有第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有下沉凹槽(101)，所述下沉凹槽底部铺设有导电层，该导电层延伸至所述硅基板的第一表面上，该导电层延伸至硅基板第一表面上的部分作为漏极导电垫(301)，所述MOSFET芯片贴装到所述下沉凹槽内，且所述MOSFET芯片背面的漏极区金属层与所述下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，所述源极导电垫、所述栅极导电垫及所述漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体；所述硅基板正面上导电体以外部分由保护层(500)包封。