[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201620365429.5 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN205564756U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈萝茜;孙强;陈思安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。本实用新型中，通过在器件区中不设置隔离槽，或者设置不连续的沟槽，或者减小通孔的密度，使得刻蚀通孔的过程中，刻蚀停止层不会被过刻蚀，从而防止刻蚀停止层从金属层上剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区以及位于所述器件区一侧的切割道，所述半导体衬底表面依次形成有金属层、刻蚀停止层以及介质层；隔离槽，所述隔离槽位于所述器件区和所述切割道之间，并暴露所述金属层；多个通孔，所述通孔位于所述器件区上的介质层中，并暴露所述刻蚀停止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620365429.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微型拉线器
- 下一篇：一种针对小型收料辊的收铜条装置
- 同类专利
- 专利分类
