[发明专利]半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法有效
| 申请号： | 201611257099.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017227B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;黄建修;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本揭露实施例提供一种半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法。所述膜堆叠体包含多个第一含金属膜，以及多个第二含金属膜。所述第一含金属膜与所述第二含金属膜彼此交替堆叠。所述第一含金属膜以及所述第二含金属膜包括相同金属元素以及相同非金属元素，以及在所述第二含金属膜中所述金属元素的浓度大于在所述第二含金属膜中所述非金属元素的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 堆叠 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n第一导电层，在衬底上方；/n第二导电层，在所述第一导电层上方且电连接到所述第一导电层；/n阻障层，在所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及/n多层膜，围住所述第二导电层的侧壁，其中所述多层膜包括多个彼此交替布置的第一含金属膜与第二含金属膜，所述第一含金属膜以及所述第二含金属膜包括相同金属元素，在所述第二含金属膜中所述金属元素的浓度高于在所述第一含金属膜中所具者，以及在所述第二含金属膜中所述金属元素的所述浓度大于50％。/n
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